3.2 主存储器

3.2.1 SRAM 芯片和 DRAM 芯片

易失性，只要电源被切断，原来保存的信息就会丢失。

1.SRAM 的工作原理

常用做 Cache。不需要刷新。

引脚数量：数据线、地址线、片选线、读写控制线（1 或 2 条）。

2.DRAM 的工作原理

常用做主存。

采用地址线复用技术，行地址和列地址通过相同的引脚分先后两次输入，这样地址引脚可以减少一半。数据引脚不变。但是要加上行通选和列通选 2 根线，分两次传送地址信号。

2ms 刷新一次。

每次刷新一行。

（1）集中刷新

后面一段时间专门用于刷新，无法访问存储器，称为“死区”。

（2）分散刷新

每次读写完都刷新一行。

优点：没有死区。

（3）异步刷新

缩短了死时间。

2ms 内每行刷新一次。

3.2.2 只读存储器

非易失性。

3.2.3 主存储器的基本组成

对存储单元编号，也称编址。

现代计算机通常采用字节编址，存储体内的一个地址有 1 字节。

3.2.4 多模块存储器

1.单体多字存储器

存储器中只有一个存储体，每个存储单元存储 m 个字，总线宽度也为 m 个字。一次并行读出 m 个字，地址必须顺序排列并处于同一个单元。

2.多体并行存储器

（1）高位交叉编址

（2）低位交叉编址

可以采取流水线方式存取。